Silizium

 

Silizium

 
 

Impulsgeber unserer Epoche – das Silizium

Material Rohsilizium

Foto: NASA

Jeder kennt das Silicon Valley, das Zentrum der Entwicklung des Computerzeitalters – benannt nach engl. Silicon, dt. Silizium.
Silizium – oder in der chemischen Fachsprache: Silicium, chem. Elementezeichen Si – (nach lat., silicia, “Kieselerde") ist ein Halbleitermaterial, aus dem u.a. PC-Chips, Transistoren und SolarzellenWafer hergestellt werden.
Ohne Silizium, das aus simplem Quarzsand gewonnen wird und daher weltweit leicht verfügbar ist, wäre unser Elektronik- und Computerzeitalter wohl kaum denkbar.

Weitere Materialien, mit denen in der Solarstellenproduktion experimentiert wird bzw. die auch schon für Spezialanwendungen (z.B. in der Raumfahrt) Serienreife über den bloßen Laborversuch erlangt haben, sind Galliumarsenid, Siliciumcarbid oder Indiumphosphid. Das vorherrschende Produktionsmaterial allerdings bleibt (bei einem Einsatz von ca. 95% der Weltproduktion) Silizium.

Herstellung von Silizium aus Quarzsand

Ausgangsmaterial für das Solarsilizium ist Siliciumdioxid – das nach dem Sauerstoff zweithäufigst vorkommende Element der Erde. Die feste Erdkruste besteht zu rund einem Viertel (ca. 25,8% ihres Gewichts) aus Silikaten; Sand besteht vorwiegend, Quarz ganz aus Siliciumdioxid.

Silicium ist auch als Kieselsäure in großen Mengen in den Ozeanen gelöst.

Für die industrielle Fertigung wird Quarzsand als Rohstoff verwendet. Aus dem darin enthaltenen Siliciumdioxid wird – mit Beigabe von Kohlenstoff und bei Temperaturen von etwa 2.000 °C – Rohsilizium gewonnen, das mit einem Reinheitsgrad von 98-99% bereits als metallurgisches Silizium (mg-Si) verwendet werden kann. Bei der Erzeugung veredelter Stähle wird mg-Si eingesetzt, da es desoxidierend (sauerstoffentziehend) wirkt und die Entstehung von Gasblasen im erstarrenden Metall verhindert – der Stahl wird hierdurch alterungsbeständiger, flexibler und belastbarer (sogenannte “Stahlberuhigung").

Roh- bzw. metallurgisches Silizium ist nicht deckungsgleich mit Ferrosilizium (fe-Si). fe-Si ist ein Silizium-Eisengemisch mit veränderlichen Anteilen, bei denen der Eisengehalt bis über 80% betragen kann.

Zur Verwendung in der Solarzellenproduktion wird Rohsilizium in umfangreichen Prozeduren (u.a. eine aufwendige Reinigung im Siemensprozess) weiter veredelt: Aus dem gemahlenen mg-Si entsteht unter Zugabe von Salzsäure und Chlorwasserstoff Trichlorsilan, das mehrfach destilliert und schließlich bei 1.200° C wiederum thermisch zersetzt wird. Dabei kristallisiert das gereinigte Silizium an Reinstsiliziumstäben aus.

Der Reinheitsgrad des so gewonnenen Solarsiliziums (sg-Si) liegt bei 99,9999%. Nur der Reinheitsgrad des Siliziums in der Mikroelektronik für Halbleiteranwendungen und zur Chip-Herstellung (eg-Si nach engl. electronic grade silicon) liegt höher, hier liegen die Verunreinigungen bei unter 1 ppb.

Bezeichnung(en) Kürzel Besonderheit Verwendung
Rohsilizium
(metallurgisches Silizium, engl. metallurgic grade silicon)
mg-Si Reinheit 98-99%, wird in der Metallurgie eingesetzt v.a. zur Stahlberuhigung
Ferrosilizium
– wird auf vielen Websites fälschlich (!) mit “metallurgischem Silizium" gleichgesetzt.
fe-Si Verschiedene Zusammensetzungen mit 14-17%, 45%, 75% oder 90% Silizium-Anteil, 2% Fremdmaterialien (z.B. Calcium, Aluminium), der Rest ist Eisen (lat. Ferrum, Fe) bis zu einem Anteil von über 80%. Legierungen, Stahlberuhigung, Gusseisen
Solarsilizium sg-Si Reinheit 99,9999% in der Solarzellenproduktion
Halbleitersilizium / Reinstsilizium
(engl. electronic grade)
eg-Si Verunreinigung unter 1ppb Mikroelektronik, PC-Chip-Herstellung
kristallines Silizium
(engl. crystalline silicon)
c-Si Verwendung in Dickschichtmodulen Photovoltaik.
polykristallines Silizium
(engl. multi-crystalline silicon)
mc-Si über 90% der Solarzellen weltweit Photovoltaikmodule
monokristallines Silizium
(engl. single-crystall silicon)
sc-Si effizientestes Photovoltaik-Silizium in der Massenfertigung (vgl. Wirkungsgrade effiziente Photovoltaikmodule
amorphes Silizium a-Si / a-Si:H Dünnschicht amorphe Solarzellen

Impulsgeber unserer Epoche – das Silizium

Material Rohsilizium

Foto: NASA

Jeder kennt das Silicon Valley, das Zentrum der Entwicklung des Computerzeitalters – benannt nach engl. Silicon, dt. Silizium.
Silizium – oder in der chemischen Fachsprache: Silicium, chem. Elementezeichen Si – (nach lat., silicia, “Kieselerde") ist ein Halbleitermaterial, aus dem u.a. PC-Chips, Transistoren und SolarzellenWafer hergestellt werden.
Ohne Silizium, das aus simplem Quarzsand gewonnen wird und daher weltweit leicht verfügbar ist, wäre unser Elektronik- und Computerzeitalter wohl kaum denkbar.

Weitere Materialien, mit denen in der Solarstellenproduktion experimentiert wird bzw. die auch schon für Spezialanwendungen (z.B. in der Raumfahrt) Serienreife über den bloßen Laborversuch erlangt haben, sind Galliumarsenid, Siliciumcarbid oder Indiumphosphid. Das vorherrschende Produktionsmaterial allerdings bleibt (bei einem Einsatz von ca. 95% der Weltproduktion) Silizium.

Herstellung von Silizium aus Quarzsand

Ausgangsmaterial für das Solarsilizium ist Siliciumdioxid – das nach dem Sauerstoff zweithäufigst vorkommende Element der Erde. Die feste Erdkruste besteht zu rund einem Viertel (ca. 25,8% ihres Gewichts) aus Silikaten; Sand besteht vorwiegend, Quarz ganz aus Siliciumdioxid.

Silicium ist auch als Kieselsäure in großen Mengen in den Ozeanen gelöst.

Für die industrielle Fertigung wird Quarzsand als Rohstoff verwendet. Aus dem darin enthaltenen Siliciumdioxid wird – mit Beigabe von Kohlenstoff und bei Temperaturen von etwa 2.000 °C – Rohsilizium gewonnen, das mit einem Reinheitsgrad von 98-99% bereits als metallurgisches Silizium (mg-Si) verwendet werden kann. Bei der Erzeugung veredelter Stähle wird mg-Si eingesetzt, da es desoxidierend (sauerstoffentziehend) wirkt und die Entstehung von Gasblasen im erstarrenden Metall verhindert – der Stahl wird hierdurch alterungsbeständiger, flexibler und belastbarer (sogenannte “Stahlberuhigung").

Roh- bzw. metallurgisches Silizium ist nicht deckungsgleich mit Ferrosilizium (fe-Si). fe-Si ist ein Silizium-Eisengemisch mit veränderlichen Anteilen, bei denen der Eisengehalt bis über 80% betragen kann.

Zur Verwendung in der Solarzellenproduktion wird Rohsilizium in umfangreichen Prozeduren (u.a. eine aufwendige Reinigung im Siemensprozess) weiter veredelt: Aus dem gemahlenen mg-Si entsteht unter Zugabe von Salzsäure und Chlorwasserstoff Trichlorsilan, das mehrfach destilliert und schließlich bei 1.200° C wiederum thermisch zersetzt wird. Dabei kristallisiert das gereinigte Silizium an Reinstsiliziumstäben aus.

Der Reinheitsgrad des so gewonnenen Solarsiliziums (sg-Si) liegt bei 99,9999%. Nur der Reinheitsgrad des Siliziums in der Mikroelektronik für Halbleiteranwendungen und zur Chip-Herstellung (eg-Si nach engl. electronic grade silicon) liegt höher, hier liegen die Verunreinigungen bei unter 1 ppb.

Bezeichnung(en) Kürzel Besonderheit Verwendung
Rohsilizium
(metallurgisches Silizium, engl. metallurgic grade silicon)
mg-Si Reinheit 98-99%, wird in der Metallurgie eingesetzt v.a. zur Stahlberuhigung
Ferrosilizium
– wird auf vielen Websites fälschlich (!) mit “metallurgischem Silizium" gleichgesetzt.
fe-Si Verschiedene Zusammensetzungen mit 14-17%, 45%, 75% oder 90% Silizium-Anteil, 2% Fremdmaterialien (z.B. Calcium, Aluminium), der Rest ist Eisen (lat. Ferrum, Fe) bis zu einem Anteil von über 80%. Legierungen, Stahlberuhigung, Gusseisen
Solarsilizium sg-Si Reinheit 99,9999% in der Solarzellenproduktion
Halbleitersilizium / Reinstsilizium
(engl. electronic grade)
eg-Si Verunreinigung unter 1ppb Mikroelektronik, PC-Chip-Herstellung
kristallines Silizium
(engl. crystalline silicon)
c-Si Verwendung in Dickschichtmodulen Photovoltaik.
polykristallines Silizium
(engl. multi-crystalline silicon)
mc-Si über 90% der Solarzellen weltweit Photovoltaikmodule
monokristallines Silizium
(engl. single-crystall silicon)
sc-Si effizientestes Photovoltaik-Silizium in der Massenfertigung (vgl. Wirkungsgrade effiziente Photovoltaikmodule
amorphes Silizium a-Si / a-Si:H Dünnschicht amorphe Solarzellen

Impulsgeber unserer Epoche – das Silizium

Material Rohsilizium

Foto: NASA

Jeder kennt das Silicon Valley, das Zentrum der Entwicklung des Computerzeitalters – benannt nach engl. Silicon, dt. Silizium.
Silizium – oder in der chemischen Fachsprache: Silicium, chem. Elementezeichen Si – (nach lat., silicia, “Kieselerde") ist ein Halbleitermaterial, aus dem u.a. PC-Chips, Transistoren und SolarzellenWafer hergestellt werden.
Ohne Silizium, das aus simplem Quarzsand gewonnen wird und daher weltweit leicht verfügbar ist, wäre unser Elektronik- und Computerzeitalter wohl kaum denkbar.

Weitere Materialien, mit denen in der Solarstellenproduktion experimentiert wird bzw. die auch schon für Spezialanwendungen (z.B. in der Raumfahrt) Serienreife über den bloßen Laborversuch erlangt haben, sind Galliumarsenid, Siliciumcarbid oder Indiumphosphid. Das vorherrschende Produktionsmaterial allerdings bleibt (bei einem Einsatz von ca. 95% der Weltproduktion) Silizium.

Herstellung von Silizium aus Quarzsand

Ausgangsmaterial für das Solarsilizium ist Siliciumdioxid – das nach dem Sauerstoff zweithäufigst vorkommende Element der Erde. Die feste Erdkruste besteht zu rund einem Viertel (ca. 25,8% ihres Gewichts) aus Silikaten; Sand besteht vorwiegend, Quarz ganz aus Siliciumdioxid.

Silicium ist auch als Kieselsäure in großen Mengen in den Ozeanen gelöst.

Für die industrielle Fertigung wird Quarzsand als Rohstoff verwendet. Aus dem darin enthaltenen Siliciumdioxid wird – mit Beigabe von Kohlenstoff und bei Temperaturen von etwa 2.000 °C – Rohsilizium gewonnen, das mit einem Reinheitsgrad von 98-99% bereits als metallurgisches Silizium (mg-Si) verwendet werden kann. Bei der Erzeugung veredelter Stähle wird mg-Si eingesetzt, da es desoxidierend (sauerstoffentziehend) wirkt und die Entstehung von Gasblasen im erstarrenden Metall verhindert – der Stahl wird hierdurch alterungsbeständiger, flexibler und belastbarer (sogenannte “Stahlberuhigung").

Roh- bzw. metallurgisches Silizium ist nicht deckungsgleich mit Ferrosilizium (fe-Si). fe-Si ist ein Silizium-Eisengemisch mit veränderlichen Anteilen, bei denen der Eisengehalt bis über 80% betragen kann.

Zur Verwendung in der Solarzellenproduktion wird Rohsilizium in umfangreichen Prozeduren (u.a. eine aufwendige Reinigung im Siemensprozess) weiter veredelt: Aus dem gemahlenen mg-Si entsteht unter Zugabe von Salzsäure und Chlorwasserstoff Trichlorsilan, das mehrfach destilliert und schließlich bei 1.200° C wiederum thermisch zersetzt wird. Dabei kristallisiert das gereinigte Silizium an Reinstsiliziumstäben aus.

Der Reinheitsgrad des so gewonnenen Solarsiliziums (sg-Si) liegt bei 99,9999%. Nur der Reinheitsgrad des Siliziums in der Mikroelektronik für Halbleiteranwendungen und zur Chip-Herstellung (eg-Si nach engl. electronic grade silicon) liegt höher, hier liegen die Verunreinigungen bei unter 1 ppb.

Bezeichnung(en) Kürzel Besonderheit Verwendung
Rohsilizium
(metallurgisches Silizium, engl. metallurgic grade silicon)
mg-Si Reinheit 98-99%, wird in der Metallurgie eingesetzt v.a. zur Stahlberuhigung
Ferrosilizium
– wird auf vielen Websites fälschlich (!) mit “metallurgischem Silizium" gleichgesetzt.
fe-Si Verschiedene Zusammensetzungen mit 14-17%, 45%, 75% oder 90% Silizium-Anteil, 2% Fremdmaterialien (z.B. Calcium, Aluminium), der Rest ist Eisen (lat. Ferrum, Fe) bis zu einem Anteil von über 80%. Legierungen, Stahlberuhigung, Gusseisen
Solarsilizium sg-Si Reinheit 99,9999% in der Solarzellenproduktion
Halbleitersilizium / Reinstsilizium
(engl. electronic grade)
eg-Si Verunreinigung unter 1ppb Mikroelektronik, PC-Chip-Herstellung
kristallines Silizium
(engl. crystalline silicon)
c-Si Verwendung in Dickschichtmodulen Photovoltaik.
polykristallines Silizium
(engl. multi-crystalline silicon)
mc-Si über 90% der Solarzellen weltweit Photovoltaikmodule
monokristallines Silizium
(engl. single-crystall silicon)
sc-Si effizientestes Photovoltaik-Silizium in der Massenfertigung (vgl. Wirkungsgrade effiziente Photovoltaikmodule
amorphes Silizium a-Si / a-Si:H Dünnschicht amorphe Solarzellen
 

Zur Weiterverarbeitung in der Photovoltaik wird das Silizium erneut in Quarztiegeln geschmolzen, ggf. zur Erhöhung seiner Leitfähigkeit angereichert (“dotiert“) und zu Ingots (Barren in Säulen- oder Quaderform) gezogen bzw. gegossen.

Dabei entsteht zu Wafern und Solarzellen weiter verarbeitbares Silizium in folgenden Formen:

  • als polykristallines Silizium,
  • als monokristallines Silizium,
  • als mikrokristallines Silizium
  • und als amorphes Silizium.

Polykristallines Silizium

Polykristallines Silizium ist das Silizium, das am häufigsten für Solarzellen verwendet wird – aufgrund der minimalen Störungen an den Kristallgrenzen ist polykristallines Silizium mit einem Wirkungsgrad von 17-19% nicht ganz so leistungsfähig wie monokristallines Silizium, dafür ist es kostengünstiger: Das Preis-Leistungs-Verhältnis des polykristallinen Siliziums zeigt für Hausdach- oder Freilandanlagen den besten Wert.
Hergestellt wird polykristallines Silizium im Blockgussverfahren oder im Bridgeman-Verfahren: Aufschmelzung des Materials durch eine Induktionsheizung bei 1400° C und kontrolliertes, langsames Abkühlen im Schmelz bzw. im Abkühl-Tiegel, so dass bei der Bildung möglichst großer Kristalle innere Materialspannungen (die zur Fehlerbildung führen könnten) weitgehend vermieden werden. Anschließend werden die entstandenen quaderförmigen Ingots in kleinere Blöcke geteilt (“brikettiert") oder zu mikrometerdünnen, pseudoquadratischen Wafern gesägt.

Monokristallines Silizium

Monokristallines Silizium ist leistungsfähiger als das polykristalline (sein Wirkungsgrad liegt mit 19-23% einige wenige Prozentpunkte über dem Silizium in monokristalliner Form), dafür in der Herstellung teurer. Das bevorzugte Verfahren zur Produktion monokristallinenen Siliziums ist das Czochralski-Verfahren, in dem ein formgebener Impfkristall, an den sich die heiße Silizium-Schmelze anlagert, unter sehr langsamem Drehen aus dem Tiegel gehoben wird. Das erstarrende Material setzt die Form des Impfkristalls fort und bildet einen zylindrischen Einkristall mit kegelförmigem Kopf. Die fertigen Ingots werden zu runden Wafern gesägt.

Mikrokristallines Silizium

Mikrokristallines Silizium wird im Dünnschichtverfahren verwendet, z.B. mit großem Erfolg bei Laborversuchen des Freiburger Fraunhoferinstituts ISE in Tandem-Solarzellen, wobei eine Topschicht Amorphes Silizium mit einer Bottomschicht mikrokristallinen Siliziums zu einer monolithischen Zelle kombiniert wird, deren Wirkungsgrade bis zu 38% erreichen können.

Amorphes Silizium

Amorphes Silizium wird ebenfalls im Dünnschichtverfahren eingesetzt, es wird unter Umgehung der Kristallbildung (amorph: “gestaltlos", d.h. hier: nichtkristallin) in hauchfeinen Schichten auf den tragenden Untergrund – Glas oder Folie – aufgedampft, eine material- und kostensparende Variante der Solarzellen-Produktion; allerdings liegt der Wirkungsgrad der so entstehenden amorphen Solarzellen entsprechend niedriger, bei rund 10%.

Solarzellen im Zusammenspiel

Zur individuellen Berechnung

Zur Weiterverarbeitung in der Photovoltaik wird das Silizium erneut in Quarztiegeln geschmolzen, ggf. zur Erhöhung seiner Leitfähigkeit angereichert (“dotiert“) und zu Ingots (Barren in Säulen- oder Quaderform) gezogen bzw. gegossen.

Dabei entsteht zu Wafern und Solarzellen weiter verarbeitbares Silizium in folgenden Formen:

  • als polykristallines Silizium,
  • als monokristallines Silizium,
  • als mikrokristallines Silizium
  • und als amorphes Silizium.

Polykristallines Silizium

Polykristallines Silizium ist das Silizium, das am häufigsten für Solarzellen verwendet wird – aufgrund der minimalen Störungen an den Kristallgrenzen ist polykristallines Silizium mit einem Wirkungsgrad von 17-19% nicht ganz so leistungsfähig wie monokristallines Silizium, dafür ist es kostengünstiger: Das Preis-Leistungs-Verhältnis des polykristallinen Siliziums zeigt für Hausdach- oder Freilandanlagen den besten Wert.
Hergestellt wird polykristallines Silizium im Blockgussverfahren oder im Bridgeman-Verfahren: Aufschmelzung des Materials durch eine Induktionsheizung bei 1400° C und kontrolliertes, langsames Abkühlen im Schmelz bzw. im Abkühl-Tiegel, so dass bei der Bildung möglichst großer Kristalle innere Materialspannungen (die zur Fehlerbildung führen könnten) weitgehend vermieden werden. Anschließend werden die entstandenen quaderförmigen Ingots in kleinere Blöcke geteilt (“brikettiert") oder zu mikrometerdünnen, pseudoquadratischen Wafern gesägt.

Monokristallines Silizium

Monokristallines Silizium ist leistungsfähiger als das polykristalline (sein Wirkungsgrad liegt mit 19-23% einige wenige Prozentpunkte über dem Silizium in monokristalliner Form), dafür in der Herstellung teurer. Das bevorzugte Verfahren zur Produktion monokristallinenen Siliziums ist das Czochralski-Verfahren, in dem ein formgebener Impfkristall, an den sich die heiße Silizium-Schmelze anlagert, unter sehr langsamem Drehen aus dem Tiegel gehoben wird. Das erstarrende Material setzt die Form des Impfkristalls fort und bildet einen zylindrischen Einkristall mit kegelförmigem Kopf. Die fertigen Ingots werden zu runden Wafern gesägt.

Mikrokristallines Silizium

Mikrokristallines Silizium wird im Dünnschichtverfahren verwendet, z.B. mit großem Erfolg bei Laborversuchen des Freiburger Fraunhoferinstituts ISE in Tandem-Solarzellen, wobei eine Topschicht Amorphes Silizium mit einer Bottomschicht mikrokristallinen Siliziums zu einer monolithischen Zelle kombiniert wird, deren Wirkungsgrade bis zu 38% erreichen können.

Amorphes Silizium

Amorphes Silizium wird ebenfalls im Dünnschichtverfahren eingesetzt, es wird unter Umgehung der Kristallbildung (amorph: “gestaltlos", d.h. hier: nichtkristallin) in hauchfeinen Schichten auf den tragenden Untergrund – Glas oder Folie – aufgedampft, eine material- und kostensparende Variante der Solarzellen-Produktion; allerdings liegt der Wirkungsgrad der so entstehenden amorphen Solarzellen entsprechend niedriger, bei rund 10%.

Solarzellen im Zusammenspiel

Zur individuellen Berechnung

Zur Weiterverarbeitung in der Photovoltaik wird das Silizium erneut in Quarztiegeln geschmolzen, ggf. zur Erhöhung seiner Leitfähigkeit angereichert (“dotiert“) und zu Ingots (Barren in Säulen- oder Quaderform) gezogen bzw. gegossen.

Dabei entsteht zu Wafern und Solarzellen weiter verarbeitbares Silizium in folgenden Formen:

  • als polykristallines Silizium,
  • als monokristallines Silizium,
  • als mikrokristallines Silizium
  • und als amorphes Silizium.

Polykristallines Silizium

Polykristallines Silizium ist das Silizium, das am häufigsten für Solarzellen verwendet wird – aufgrund der minimalen Störungen an den Kristallgrenzen ist polykristallines Silizium mit einem Wirkungsgrad von 17-19% nicht ganz so leistungsfähig wie monokristallines Silizium, dafür ist es kostengünstiger: Das Preis-Leistungs-Verhältnis des polykristallinen Siliziums zeigt für Hausdach- oder Freilandanlagen den besten Wert.
Hergestellt wird polykristallines Silizium im Blockgussverfahren oder im Bridgeman-Verfahren: Aufschmelzung des Materials durch eine Induktionsheizung bei 1400° C und kontrolliertes, langsames Abkühlen im Schmelz bzw. im Abkühl-Tiegel, so dass bei der Bildung möglichst großer Kristalle innere Materialspannungen (die zur Fehlerbildung führen könnten) weitgehend vermieden werden. Anschließend werden die entstandenen quaderförmigen Ingots in kleinere Blöcke geteilt (“brikettiert") oder zu mikrometerdünnen, pseudoquadratischen Wafern gesägt.

Monokristallines Silizium

Monokristallines Silizium ist leistungsfähiger als das polykristalline (sein Wirkungsgrad liegt mit 19-23% einige wenige Prozentpunkte über dem Silizium in monokristalliner Form), dafür in der Herstellung teurer. Das bevorzugte Verfahren zur Produktion monokristallinenen Siliziums ist das Czochralski-Verfahren, in dem ein formgebener Impfkristall, an den sich die heiße Silizium-Schmelze anlagert, unter sehr langsamem Drehen aus dem Tiegel gehoben wird. Das erstarrende Material setzt die Form des Impfkristalls fort und bildet einen zylindrischen Einkristall mit kegelförmigem Kopf. Die fertigen Ingots werden zu runden Wafern gesägt.

Mikrokristallines Silizium

Mikrokristallines Silizium wird im Dünnschichtverfahren verwendet, z.B. mit großem Erfolg bei Laborversuchen des Freiburger Fraunhoferinstituts ISE in Tandem-Solarzellen, wobei eine Topschicht Amorphes Silizium mit einer Bottomschicht mikrokristallinen Siliziums zu einer monolithischen Zelle kombiniert wird, deren Wirkungsgrade bis zu 38% erreichen können.

Amorphes Silizium

Amorphes Silizium wird ebenfalls im Dünnschichtverfahren eingesetzt, es wird unter Umgehung der Kristallbildung (amorph: “gestaltlos", d.h. hier: nichtkristallin) in hauchfeinen Schichten auf den tragenden Untergrund – Glas oder Folie – aufgedampft, eine material- und kostensparende Variante der Solarzellen-Produktion; allerdings liegt der Wirkungsgrad der so entstehenden amorphen Solarzellen entsprechend niedriger, bei rund 10%.

Solarzellen im Zusammenspiel

Zur individuellen Berechnung